前言
传统氮化镓驱动设计中，氮化镓功率器件和驱动电路分离，驱动电路需要单独进行设计，集成度低，设计复杂，同时氮化镓功率器件和驱动器之间的走线会产生寄生电感和寄生电阻，可能会导致开关损耗增加、振铃现象、误导通等问题，影响电路的性能和稳定性，需要多次调整PCB布局和布线来尽量减小其影响。
最近充电头网了解到，梵塔推出一款半桥GaN，型号为FCG65N150QF，其内部集成半桥驱动器、GaN晶体管以及自举二极管，直接降低开关损耗和寄生参数影响，易于开发设计，且能够实现更优的系统性能。
梵塔FCG65N150QF半桥GaN
梵塔FCG65N150QF氮化镓合封器件创新性地集成了半桥驱动器、两个对称半桥配置的650V耐压、150mΩ导阻的GaN晶体管，同时将自举二极管一并内置，外围精简，大幅削减了占板空间，并从根源上削弱了寄生效应对电路性能的影响。
FCG65N150QF具备无反向恢复损耗的优良特性，且开关延迟短，匹配误差小。芯片内置稳压器，低高两侧均配备UVLO保护功能，助力芯片的稳定工作，提升内置GaN工作效率，确保系统安全、高效运转。此外，该芯片支持可编程死区时间，用户能够依据实际产品需求精准、灵活配置，有效提升了使用的便利性与适配性。
该芯片拥有工业级别的-40~125℃的耐受区间，搭配紧凑的QFN 9×9mm封装，结构紧凑且受恶劣环境影响小。凭借此优势，该产品能广泛且适配地应用于半桥、全桥、LLC以及AHB电路，以及对体积要求苛刻的高功率密度PD适配器、笔电适配器等多种场景。
充电头网总结
梵塔此次新推出的FCG65N150QF器件亮点十足，其高度集成的设计，为电源设计领域带来前沿的半桥氮化镓解决方案。
该半桥GaN驱动器集成半桥驱动器、两个650V耐压150mΩ导阻的GaN晶体管及自举二极管，具备无反向恢复损耗、短暂开关延迟、小匹配误差等优势，可以广泛适用于多种对体积有严苛要求的高功率密度适配器场景。
充电头网了解到，梵塔以解决客户的系统应用问题为基础，结合数字和模拟的优点，专注于研发数字化，智能化和模块化的高端节能电源管理芯片及方案，致力于帮助客户实现高频，高效和高功率密度的开关电源设计,助力实现高效电能转换和“双碳”目标。产品包含AC-DC, DC-DC及功率模块，电池管理等，应用于服务器电源，基站电源，TV电源和新能源等，覆盖工业及消费电子。 产品工艺覆盖700V UHV和40V~100V BCD等。
梵塔拥有完整的研发团队，丰富的数模电源管理产品开发经验及各种IP。公司一直以研发行业新技术，新产品为宗旨，积极开展各项创新工作。到目前为止，已撰写和申请了30+发明专利和实用型新型专利，已获得国家知识产权局授权发明专利6项，实用型新型专利2项。
