就在5月7日凌晨的印巴空战中，巴基斯坦空军用中国制造的歼-10CE战斗机，打出了一个让人瞠目结舌的战绩。一小时内，就击落3架印度空军法制的“阵风”战机、1架苏 - 30MKI以及1架米格 - 29，还有一架无人机。而且巴基斯坦空军方面还说，原本至少能击落10至15架印军战机，但因为命令要求克制，才只击落了5架。这歼-10CE战斗机的实力，可见一斑啊！
很多人都在说，巴基斯坦对印度空军的胜利是体系作战的胜利，或者说训练有素的胜利。但在我看来，即使没有体系支撑，歼-10C对“阵风”以及各种“四代半”战机，都是绝对的单向碾压局。这一点，绝对出乎大多数人的意料。
歼-10C是中国自主研发的第三代改进型多用途战斗机，2017年8月参加解放军建军90周年阅兵时首次公开亮相，而实际研制和试飞显然要早5年左右。它配装先进航电系统及多型先进机载武器，在军事舞台上那可是有着举足轻重的地位。
歼-10C的优势，并不是平台性能，而是强大的“态势感知能力”。这背后，是受益于歼-20的技术下放，它的航电架构比其他国家的四代半机都领先一代。
我重点要给大家揭秘的，就是歼-10C以及出口巴基斯坦的歼-10CE所配备的有源相控阵雷达（AESA），它采用了氮化镓（GaN）材料，也就是第三代功率半导体。这可不得了啊！比起第二代功率半导体砷化镓（GaAs），采用GaN材料的有源相控阵雷达优势巨大，甚至可以说大于有源相控阵雷达（AESA）与无源相控阵雷达（PESA）的差距。
咱们来具体对比一下，GaN的禁带宽度是GaAs的2.4倍，这使得GaN器件具有更高的击穿电场强度，能承受更高电压（可达千伏级），功率密度可达GaAs的10倍，适用于紧凑型设备。GaN的电子饱和速度是GaAs的2.5倍，导通电阻低1 - 2个数量级，支持更高频率（毫米波频段）和更快开关速度（支持100kHz以上高频开关），并提升功率转换效率。GaN的热导率是GaAs的2.6倍，散热能力更强，在200℃以上仍能稳定工作，而GaAs在高温下易发生迁移率下降和热击穿。
中国在GaN领域的领先地位，那可不是偶然的。这背后是政策引导、市场需求、技术创新和产业链协同共同作用的结果。更重要的是，中国在镓领域占据全球绝对的主导地位，矿藏储量（20万吨）占全球总储量（25万吨）的70%，产量占比更是高达98%。2022年全球产量540吨，中国就占了530吨。因为在咱们中国，镓是铝土矿伴生，是电解铝的副产品，成本很低；而其他国家多与铅锌矿共生，需通过复杂冶炼工艺提取。所以综合主导程度远高于稀土。
中国在“十四五”规划里把第三代功率半导体列为重点发展方向，对GaN产业链的投入超过50亿元，覆盖衬底制备、外延生长、器件设计等关键环节，形成了完整的GaN产业链集群，实现了从材料到模组的全链条自主可控。而且中国在5G基站、新能源汽车、手机快充等领域对GaN的需求不断增长，这也进一步推动了GaN技术的发展。
在军事应用领域，中国是全球唯一一个在战机雷达方面普及氮化镓（GaN）材料的国家。放眼全球，除了中国，唯一运用了氮化镓（GaN）材料的战机雷达，只有美国的AN/APG - 79(V)4，还是准备给陆战队的F/A - 18C/D经典“大黄蜂”战机改进用的。美国空军的F - 22和F - 35，运用的还都只是砷化镓（GaAs）材料的雷达。F - 22要退役不打算改进了，F - 35未来升级GaN的APG - 85还只是计划。
再看看进度，APG - 79(V)4在2021年4月份才开始进行首次飞行测试，而中国歼-10配套的氮化镓（GaN）有源相控阵雷达研制大约是在2012年，比美国早了10年。到2018年的珠海航展，中国就已经大量展出采用氮化镓（GaN）材料的机载有源相控阵雷达了，而且这种材料还运用到了“枭龙”Block3配备的KLJ - 7A有源相控阵雷达上。巴基斯坦媒体援引巴空军官员的话说，得益于氮化镓，就连“枭龙”雷达的对空探测能力都高于美国F - 35的AN/APG - 81雷达和法国“阵风”战斗机的RBE - 2 - AA雷达。这可一点都不是吹牛，是实实在在的材料代际领先啊！
当中国歼 - 10C的有源相控阵雷达探测距离比“阵风”高一倍，当PL - 15导弹射程是“米卡”导弹的2.5倍以上时，这场空战的胜利，早在技术参数表里就写就了。这是一场毫无悬念的绝对碾压局。
